(주)텔레포스(졸업기업) [57 호]
- 작성자운영자
- 작성일2007.08.13 11:31
- 조회수25100
회사명 : 텔레포스(주)
<회사소개>
텔레포스㈜는 1995년 12월 설립되었으며, 대전의 대덕 valley에 8천평 규모의 연구소 및 공장을 보유하고 있는 무선통신 반도체 부품 제조업체 입니다. 당사는 자체 특허에 기반 한 Smart Silicon Substrate 기술과 ACF 제조기술, 차세대 화합물 반도체 부품인 InP의 제조 기술등을 보유하고 있으며, 이의 상품화를 위한 제조 시설 (ISO 9001 획득)과 우수 연구 개발진 (8명의 박사 인력 포함)의 확보를 통하여, 무선통신 반도체 부품시장에서의 선도적 입지 달성을 목표로 정진하고 있는 원천기술 기반 벤처기업입니다.
주요 사업 제품은 텔레포스가 보유한 각각의 특허 기술을 기반으로,
(1) RF용 Integrated passive device(RF IPD) 및 RF Module, 그리고 광통신 모듈 부품등 Smart silicon substrate 기술의 응용 제품,
(2) LCD panel 과 LCD driver IC를 전기적/기계적으로 연결시켜 줄 수 있고, 아울러 Flip chip bonding시 사용 가능한 advanced electronic package material 인 ACF (Anisotropic conductive film: 이방성 전도형 필름), 등으로 이루어져 있습니다.
<제품소개>
RF IPD 파운드리 서비스(고주파 집적 수동소자용 foundry Service)
텔레포스 TIPD 공정은 제품의 특성은 향상시키면서 비용과 크기는 줄이는데 목표를 두고 있다. 특히 두꺼운 Cu 메탈층(10um)과 절연을 위해 Si 기판위에 덮힌 25um SiO2 층은 무선 통신 시스템과 RF 모듈회로의 특성을 크게 향상시킬 수 있다. 메탈층 사이는 절연을 위해 유전율이 낮은 물질(BCB)로 채워져 있다. NiCr 저항과 MIM 커패시터 제작이 가능하며 NiAu pad와 Cu pad 는 각각 wire bonding 과 solder ball bumping 을 위해 사용된다. 제품은 Package 나 Bare die chip 형태로 제공되며 6인치 웨이퍼 공정을 사용하여 대량의 제품생산이 가능하다.
<회사소개>
텔레포스㈜는 1995년 12월 설립되었으며, 대전의 대덕 valley에 8천평 규모의 연구소 및 공장을 보유하고 있는 무선통신 반도체 부품 제조업체 입니다. 당사는 자체 특허에 기반 한 Smart Silicon Substrate 기술과 ACF 제조기술, 차세대 화합물 반도체 부품인 InP의 제조 기술등을 보유하고 있으며, 이의 상품화를 위한 제조 시설 (ISO 9001 획득)과 우수 연구 개발진 (8명의 박사 인력 포함)의 확보를 통하여, 무선통신 반도체 부품시장에서의 선도적 입지 달성을 목표로 정진하고 있는 원천기술 기반 벤처기업입니다.
주요 사업 제품은 텔레포스가 보유한 각각의 특허 기술을 기반으로,
(1) RF용 Integrated passive device(RF IPD) 및 RF Module, 그리고 광통신 모듈 부품등 Smart silicon substrate 기술의 응용 제품,
(2) LCD panel 과 LCD driver IC를 전기적/기계적으로 연결시켜 줄 수 있고, 아울러 Flip chip bonding시 사용 가능한 advanced electronic package material 인 ACF (Anisotropic conductive film: 이방성 전도형 필름), 등으로 이루어져 있습니다.
<제품소개>
RF IPD 파운드리 서비스(고주파 집적 수동소자용 foundry Service)
텔레포스 TIPD 공정은 제품의 특성은 향상시키면서 비용과 크기는 줄이는데 목표를 두고 있다. 특히 두꺼운 Cu 메탈층(10um)과 절연을 위해 Si 기판위에 덮힌 25um SiO2 층은 무선 통신 시스템과 RF 모듈회로의 특성을 크게 향상시킬 수 있다. 메탈층 사이는 절연을 위해 유전율이 낮은 물질(BCB)로 채워져 있다. NiCr 저항과 MIM 커패시터 제작이 가능하며 NiAu pad와 Cu pad 는 각각 wire bonding 과 solder ball bumping 을 위해 사용된다. 제품은 Package 나 Bare die chip 형태로 제공되며 6인치 웨이퍼 공정을 사용하여 대량의 제품생산이 가능하다.
- 절연 실리콘 위에서의 박막 공정
- 후막 Metal 3 : 10um Cu
- 얇은 메탈 폭 : 10um width
- 높은 Q를 갖는 인덕터 : Q > 30 @ 2GHz
- 저비용 : Cu 메탈과 Si 기판
- 박막 NiCr 저항
- 저유전성 절연재료(BCB)
- SiN (1000A) MIM 커패시터
- Wire Bond를 위한 Ni/Au Pad
- Solder Ball Bumping을 위한 Cu Pad
- 이물질 차단위해 BCB를 이용한 표면도포
- 대량 생산 가능(6” wafer)
▶ 응용 분야
- 수동 소자 회로
- Filter(여파기)
- Diplexer(다이플렉서)
- Balun(밸런)
- Coupler(결합기)
- Phase Shift Network(위상 천이기)
- Power Combiner(전력 결합기)
- Customized Passive Network
- 높은 Q 를 요구하는 고성능 회로
- 매칭 회로(LNA 매칭회로, VCO tank circuit 등)
- 고전력 회로(3W) (PAM 매칭 회로 등)
- RF Multi-Chip Module(MCM)을 위한 회로
▶ 기타
- 디자인 매뉴얼 제공
- ADS에서 이용 가능한 라이브러리 제공(저항, 인덕터, 커패시터)
- Agilent ADS 시뮬레이션과 3D EM 시뮬레이션 지원
- Customer 요구 시 Reliability Reports 제공 가능
- PCM 패턴을 포함한 GDSII 파일 편집
- 웨이퍼 상 테스트 및 RF 패키지 테스트 지원
- 품질 관리 서비스
- 불량 분석
<업체 프로필>- 회사명 : 텔레포스㈜ (Telephus, Inc.)
- 대표이사 : 김 정 희
- 설립일 : 1995. 12. 15
- 사업자등록번호 :120-81-65247
- 법인등록 번호 :110111 - 1219561
- 주요업 : 전자통신기기 및 부품 / 무역, 컴퓨터 주변기기
- 자본금 : 6,287,619,000원 (2004년 5월 기준)
- 인원 : 68명
- 본사 : 대전시 유성구 장동 25-11, 12 (대덕연구단지내)
- 대표전화 042) 866-1300 팩스 042) 866-1308~9
- 주요 생산 및 연구개발 품목 : RF IPD / 수동소자 파운드리 서비스 / ACA/ACF / SiOB, V-Groove chips, RF 모듈, 기타
- 담당 Mail : webmaster@telephus.com
- KAIST와의 관계 : 카이스트 산학협력단 졸업기업
- 입주기간 : 2000. 1. 20 ~ 2002. 12. 8
- 회사명 : 텔레포스㈜ (Telephus, Inc.)
- 대표이사 : 김 정 희
- 설립일 : 1995. 12. 15
- 사업자등록번호 :120-81-65247
- 법인등록 번호 :110111 - 1219561
- 주요업 : 전자통신기기 및 부품 / 무역, 컴퓨터 주변기기
- 자본금 : 6,287,619,000원 (2004년 5월 기준)
- 인원 : 68명
- 본사 : 대전시 유성구 장동 25-11, 12 (대덕연구단지내)
- 대표전화 042) 866-1300 팩스 042) 866-1308~9
- 주요 생산 및 연구개발 품목 : RF IPD / 수동소자 파운드리 서비스 / ACA/ACF / SiOB, V-Groove chips, RF 모듈, 기타
- 담당 Mail : webmaster@telephus.com
- KAIST와의 관계 : 카이스트 산학협력단 졸업기업
- 입주기간 : 2000. 1. 20 ~ 2002. 12. 8