발명의 명칭 : 쇼트키―장벽 트랜지스터의 제조 방법
(METHOD FOR MANUFACTURING SCHOTKKY―BARRIER TRANSISTOR)
o 발명자 : 최양규, 한진우
o 등록번호 및 일자 : 10-0733605-0000 (2007.06.22)
o 요약문 : 본 발명은 전계 효과 트랜지스터 제작 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 소오스/드레인 영역에 금속 실리사이드를 사용한 트랜지스터에 인장 실리콘 공정기술을 적용한 쇼트키-장벽 소스 및 드레인을 갖는 전계 효과 트랜지스터 제작 방법에 관한 것이다.

본 발명에 따른 인장 실리콘 기술을 이용한 쇼트키-장벽 트랜지스터의 제작 방법은 쇼트키 장벽 트랜지스터 반도체의 제조방법에 있어서, 실리콘 게르마늄 변형 반도체 기판상에 게이트 절연막, 게이트 전극, 게이트 전극의 측면에 절연성 스페이서를 형성하고, 게이트 패턴 및 스페이서를 이온 주입 마스크로 반도체 기판 내에 불순물을 주입하여 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계; 기판 전면에 금속막을 증착하는 단계; 기판 전면을 열처리하여 금속 실리사이드를 형성하는 단계; 및 실리사이드를 형성하고 남은 금속막을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 이루어진다.
o 대표청구항 : 쇼트키 장벽 트랜지스터 반도체의 제조방법에 있어서,(A) 실리콘 게르마늄 변형 반도체 기판상에 게이트 절연막, 게이트 전극, 게이트 전극의 측면에 절연성 스페이서를 형성하고, 게이트 패턴 및 스페이서를 이온 주입 마스크로 반도체 기판 내에 불순물을 주입하여 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계;(B) 상기 기판 전면에 금속막을 증착하는 단계;(C) 상기 기판 전면을 열처리하여 금속 실리사이드를 형성하는 단계; 및(D) 실리사이드를 형성하고 남은 금속막을 선택적으로 제거하는 단계;를 포함하는, 인장 실리콘 기술을 이용한 쇼트키-장벽 트랜지스터 제작 방법.
o 대표도면 :