ㅇ 발명자/고안자: 최양규 최성진
ㅇ 등록번호/일자: 1010425210000 (20110613)
ㅇ 초록:
본 발명은 커패시터리스 디램에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 기생 바이폴라 트랜지스터 성분을 갖는 커패시터리스 디램과 그 쓰기방법 및 읽기방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 커패시터리스 디램은 기판상에 형성된 홀 장벽층, 홀 장벽층상에 형성된 부유 바디셀, 홀 장벽층상에 형성되되 부유 바디셀 양측에 각각 형성된 소오스 및 드레인, 부유 바디셀상에 형성된 게이트 절연층, 게이트 절연층상에 형성된 게이트를 포함하며, 소오스 및 드레인은 부유 바디셀보다 큰 에너지 밴드갭을 갖는 물질로 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 커패시터리스 디램에 있어서 기존보다 낮은 드레인 전압에서도 기생 바이폴라 트랜지스터의 항복 효과를 이용하여 안정적인 쓰기 동작과 읽기 동작이 가능하며, 동시에 큰 센싱 마진을 얻을 수 있는 효과가 있다.
커패시터리스 디램(capacitor-less DRAM), 기생 바이폴라 트랜지스터, 애벌런치 항복(avalanche breakdown), 에너지 밴드갭
ㅇ 대표청구항:
기생 바이폴라 트랜지스터의 애벌런치 항복(avalanche breakdown) 효과를 이용하여 구동하는 커패시터리스 디램으로서,
기판상에 형성된 홀 장벽층;
상기 홀 장벽층상에 형성된 부유 바디셀;
상기 홀 장벽층상에 형성되되, 상기 부유 바디셀 양측에 각각 형성된 소오스 및 드레인;
상기 부유 바디셀상에 형성된 게이트 절연층; 및
상기 게이트 절연층상에 형성된 게이트를 포함하며,
상기 소오스 및 상기 드레인은 상기 부유 바디셀보다 큰 에너지 밴드갭을 갖는 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 커패시터리스 디램.
ㅇ 대표도면: